Mphete ya Porous ya TaC

Silicon carbide (SiC), chinthu cha m'badwo wachitatu semiconductor, ili ndi zinthu zabwino kwambiri monga bandgap yayikulu, matenthedwe apamwamba kwambiri, komanso malo amagetsi owonongeka kwambiri, zomwe zimapangitsa kuti zikhale zofunika m'magawo ngati magalimoto amagetsi atsopano, zoyendera njanji, kulumikizana kwa 5G, ndi zamagetsi zamagetsi. Kukula kwa makhiristo amodzi a SiC kumafuna kutentha kwambiri (> 2000 ° C) komanso malo ovuta komanso amthupi, zomwe zimapangitsa kuti pakhale zofunikira kwambiri pazida zokulirapo, monga ma crucibles ndi zigawo zamafuta otentha. Semixlab imapereka mphete za Porous tantalum carbide (TaC), zokhala ndi mawonekedwe apadera a thupi ndi mankhwala, zakhala zida zabwino kwambiri zokongoletsera kukula kwa SiC single crystals.

Makhalidwe a porous tantalum carbide mphete

1. Kukhazikika kwa kutentha kwakukulu

Malo osungunuka a Tantalum carbide mpaka 3880 ℃, mu silicon carbide single crystal kukula kutentha osiyanasiyana (2000-2500 ℃) kuti akhalebe okhazikika, kupewa kupindika kapena kusinthika.

Kuchuluka kwa kutentha kwapakati (6.3 × 10⁻⁶/K), kuchepetsa chiopsezo cha ming'alu yomwe imadza chifukwa cha kutentha kwa kutentha.

2. Chemical inertness

Zimakhala zogwirizana kwambiri ndi silicon carbide, graphite ndi zipangizo zina, ndipo sizimayenderana ndi silicon (Si) ndi mpweya wa carbon (C) pa kutentha kwakukulu kuti zisawononge makristasi.

Tsatanetsatane wazomwe:

1. Mayina ena: Porous TaC mphete, Porous Tantalum carbide, TaC yokutidwa mphete

2. Ntchito: Monga chigawo chapakati cha dongosolo lamatenthedwe akumunda, mphete ya TaC ya porous imayang'anira kugawa kwa kutentha kwa kutentha kupyolera mu mawonekedwe ake a porous, imachepetsa kutentha kwa radial kutentha, ndi kupititsa patsogolo kukula kwa axial kufanana kwa silicon carbide single crystal.Kuphatikizana ndi graphite chowotcha, kupsinjika kwa kristalo komwe kumayambitsidwa ndi kutenthedwa kwapanyumba kumatha kuchepetsedwa.

3. Magawo apakati: Tantalum carbide imasungunuka mpaka 3880 ℃, mu silicon carbide single crystal kukula kutentha osiyanasiyana (2000-2500 ℃) kuti ikhale yokhazikika, kupewa kupunduka kapena kusinthasintha.

Kuchuluka kwa kutentha kwapakati (6.3 × 10⁻⁶/K), kuchepetsa chiopsezo cha ming'alu yomwe imadza chifukwa cha kutentha kwa kutentha.

Ntchito yofunika kwambiri pakukula kwa silicon carbide single crystal

1. Kutentha kwa malo opangira kutentha ndi kulamulira kutentha

Monga gawo lapakati pamagetsi otenthetsera, mphete ya TaC ya porous imayang'anira kugawa kwa radiation kudzera pamapangidwe ake, imachepetsa kutentha kwa radial, ndikuwongolera kukula kwa axial kwa kristalo.

Kuphatikizidwa ndi chowotcha cha graphite, zolakwika za kristalo zomwe zimayambitsidwa ndi kutenthedwa kwapanyumba zimatha kuchepetsedwa.

2. Gasi zoyendera ndi anachita kukhathamiritsa

Mu ng'anjo ya kukula kwa PVT, mphete za TaC zokhala ndi porous zitha kugwiritsidwa ntchito ngati sing'anga yoyatsira mpweya kugawa mofanana mpweya wa Si / C kumtunda wa kristalo, womwe ukhoza kupititsa patsogolo kukula kwa kristalo ndi mtundu wa kristalo.

Kapangidwe ka pore kumatha kukopa zonyansa (monga ma ayoni achitsulo) ndikuwongolera kuyera kwa kristalo (resistivity>10⁵ Ω·cm).

3. Msonkhano wothandizira moyo wautali

M'malo mwa zida zachikhalidwe za graphite, zimagwiritsidwa ntchito ngati mphete zothandizira crucible kapena zigawo zotchinjiriza kutentha kuti apewe vuto la ufa wa graphite pa kutentha kwakukulu ndikuwonjezera moyo wautumiki wa zida (> 1000 maola).

Kapangidwe ka porous kumachepetsa kupsinjika kwamafuta ndikuchepetsa chiopsezo cha kusweka.

Mphete ya TaC imagwiritsidwa ntchito makamaka mu njira ya PVT

Mwachidule, Semixlab's Porous TaC Ring imapangitsa kuti kristalo ikhale yabwino: malo otentha ofananirako amachepetsa kachulukidwe kachilema ndipo amathandizira kukonza makhiristo akulu a SiC a mainchesi 6 ndi kupitilira apo.

Kukhathamiritsa kwa njira: Kufulumizitsa kufalitsa kwa gasi ndikuwonjezera kukula ndi 10-15%.

Chepetsani ndalama zopangira: Zida za moyo wautali zimachepetsa pafupipafupi kukonza zida, ndipo mtengo wonsewo umachepetsedwa ndi 20-30%.

Ubwino wa porous kapangidwe

The controllable porosity (30-60%) imakonza njira yoyatsira mpweya ndikulimbikitsa kayendedwe ka nthunzi kofanana ndi Si / C mu PVT (njira yoyendera mpweya).

Malo okwera kwambiri amapangitsa kuti matenthedwe azitha kutentha, amathandizira kupanga malo otentha a yunifolomu, ndikulepheretsa zolakwika za kristalo (monga ma microtubules ndi dislocations).